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高靈敏度相機

簡要描(miao)述:Dhyana400BSI高靈敏度相(xiang)機(ji) 從(cong)面世以來一直得(de)到極大關注,產品(pin)品(pin)質得(de)到全(quan)面認(ren)可。但(dan)我們從(cong)未停(ting)止精(jing)益求精(jing)的腳步,在研發人(ren)員的集體努(nu)力下,現(xian)已完成400BSI從(cong)V1.0到V2.0的全(quan)面升級。

  • 廠商性(xing)質(zhi):代理商
  • 更新時間(jian):2024-04-26
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詳細介紹

一、高靈敏度相機產品介紹

  Dhyana400BSI從面世以來一直得到(dao)極(ji)大關注,產(chan)品品質(zhi)得到(dao)全(quan)(quan)面認(ren)可。但我們(men)從未停止過腳步,在研(yan)發人員的集體(ti)努力下,現已完成400BSI從V1.0到(dao)V2.0的全(quan)(quan)面升(sheng)級。

  400BSI(V2.0)在V1.0的(de)傳輸(shu)速度上實(shi)現(xian)了(le)核心突破,全分辨(bian)率下(xia)可實(shi)現(xian)74fps@Cameralink與40fps@USB3.0的(de)高(gao)速數據傳輸(shu)。在信(xin)號處理(li)上,為滿足諸如單(dan)分子、超(chao)分辨(bian)率等科研成(cheng)像(xiang)對精準定(ding)量的(de)需求,400BSI(V2.0)對DSNU與PRNU進行了(le)校正,使得(de)每個像(xiang)素(su)之間的(de)差異以及固定(ding)圖形(xing)噪聲降到很低,從而實(shi)現(xian)更高(gao)精度的(de)定(ding)量成(cheng)像(xiang),為獲(huo)取更精準的(de)應用數據提供保障。

  此外400BSI(V2.0)還保留了V1.0的(de)所有(you)精(jing)髓,包括搭載最(zui)新的(de)背(bei)照式sCMOS芯片,擁有(you)95%QE的(de)超(chao)高量(liang)子效率,6.5μmx6.5μm的(de)像素尺(chi)寸(cun),1.1e-@CMS的(de)超(chao)低讀出噪聲等優秀(xiu)品質。

  不論(lun)是采集絢麗(li)的科學圖像(xiang),還是獲取精準的定(ding)量數據(ju),Dhyana400BSI(V2.0)均能游刃有余!


二、高靈敏度相機產品優勢

1、像素校正,DSNU/PRNU優化,定量分析更精準

  為提高相機的(de)綜合性能,Dhyana400BSIV2.0對DSNU(暗(an)信(xin)號不均(jun)一性)和PRNU(光響(xiang)應(ying)(ying)不均(jun)一性)進行了(le)校正優化(hua),優化(hua)后的(de)DSNU值由0.3e-降(jiang)到了(le)0.2e-,PRNU值由1.6%降(jiang)到了(le)0.3%,相機因此具備了(le)更加精細的(de)定量能力,更加適合定量分析應(ying)(ying)用(yong)領域。


2、-15℃低(di)溫暗電流控制, 進(jin)一步降(jiang)低(di)噪(zao)聲對成像的影響(xiang)

Dhyana 400BSI V2.0在(zai)20 室溫下制冷(leng)溫度已(yi)經可(ke)(ke)以達到(dao)-15℃ ,相比(bi)1.2e-的讀出噪(zao)聲和0.2e-的DSNU,100毫秒(miao)對應 的暗電流噪(zao)聲要小于0.02e-,達到(dao)了sCMOS成像(xiang)應用幾 乎可(ke)(ke)以忽略不計的水(shui)平(ping)。


3、寬光(guang)譜響應范圍,靈敏度高不可攀

當各項噪(zao)聲(sheng)指標和好的(de)水平都相(xiang)當時,Dhyana 400BSIV2.0的(de)量子效率優勢就*凸顯,這對科學(xue)級(ji)應用(yong)來說都是 相(xiang)當巨大的(de)突破,不僅在可見光區域(yu)靈(ling)敏度得到了大幅(fu)提(ti) 升,在紫(zi)外短波(bo)和近紅外長波(bo)上(shang)的(de)提(ti)升也(ye)非常(chang)值得關注。


4、74fps@CameraLink, 40fps@USB3.0, 數據捕捉更快速(su)

除了(le)信噪比優勢,Dhyana 400BSI V2.0在傳輸(shu)(shu)速(su)度上 也實現了(le)核心突破,一方面新增CameraLink接(jie)口,滿足科研成像對更高(gao)幀(zhen)率(lv)的需(xu)求,另(ling)一方面對內部 硬件電路進(jin)行了(le)全新升級改進(jin),最(zui)終實現了(le)420萬(wan)全 分辨率(lv)下74fps@CameraLink的芯片極限(xian)傳輸(shu)(shu)速(su)率(lv),以(yi) 及(ji)40fps@USB3.0的接(jie)口最(zui)高(gao)數據傳輸(shu)(shu)速(su)率(lv)。


三、第三方應用

 

除了(le)自有的(de)SDK和(he)Demo,Dhyana 400BSI V2.0支持的(de)第(di)三方應用(yong)也已(yi)經大大擴展,包(bao)括Micromanager, 

Labview, Matlab等,可(ke)以為(wei)您提(ti)供更多應用支(zhi)持和幫助。


四、應用案例參考

單(dan)分(fen)子定位

相機的高信噪(zao)比(bi)可(ke)有效(xiao)提高單分(fen)子熒光(guang)發(fa)光(guang)的亮度,右(you)圖(tu)統計結果顯示,400BSI的定位精度是(shi)對比(bi)相機的2倍。數據來源(yuan):華中科技大(da)學武漢(han)光(guang)電國家實(shi)驗室。


超分辨(bian)成(cheng)像

半(ban)高(gao)全寬(FWHM])越(yue)小,表示分(fen)(fen)(fen)(fen)辨率(lv)越(yue)高(gao)。在(zai)STORM細胞超分(fen)(fen)(fen)(fen)辨成像中(zhong),400BSI分(fen)(fen)(fen)(fen)辨率(lv)達到(dao)(dao)了(le)40納(na)米(mi),而第三代(dai)82%QE的(de)sCMOS只能(neng)達到(dao)(dao)47納(na)米(mi)分(fen)(fen)(fen)(fen)辨率(lv),400BSI將STORM超高(gao)分(fen)(fen)(fen)(fen)辨率(lv)顯微鏡的(de)分(fen)(fen)(fen)(fen)辨能(neng)力推進了(le)7納(na)米(mi)!


神經元熒光成像(xiang)

隨(sui)著(zhu)曝光(guang)(guang)時(shi)間的增(zeng)加,發光(guang)(guang)的熒光(guang)(guang)物質會對細(xi)胞(bao)產生光(guang)(guang)毒性,相比其(qi)他(ta)相機(ji),400BSI的成像(xiang)曝光(guang)(guang)時(shi)間更短, 可以更好(hao)

的保護細胞樣品,避(bi)免光損傷。


TIRF寬(kuan)場成(cheng)像

在(zai)全內反射熒光(guang)( TIRF )應用中,光(guang)強非常(chang)弱,但400BSI的超高信噪比可有效(xiao)減少曝(pu)光(guang)時(shi)間,得到(dao)更(geng)快的寬場成(cheng)像速度。


SIM細(xi)胞骨(gu)架成像

SIM成像要求相機在低曝(pu)光時間下能夠獲取(qu)盡(jin)可(ke)能清晰(xi)的圖像,而(er)在同等拍(pai)攝條件下,400BSI 擁有顯著的信噪(zao)比(bi)優勢,因(yin)而(er)能夠獲得較其他相機更好的成像質量。


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